파운드리 분야 기술 리더십 공고 경쟁력 강화

▲삼성전자 파운드리 생산라인 전경. ⓒ삼성전자

[시사프라임 / 김용철 기자] 삼성전자가 D램의 빠른 속도와 플래시의 비휘발성 장점을 결합한 차세대 반도체 솔루션을 출시했다. 이로써 저전력, 소형화, 빠른 쓰기로 사물인터넷(IoT)·인공지능(AI)에 최적의 솔루션을 제공할 수 있게 됐다.

삼성전자는 28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정을 기반으로 한 내장형 M램 솔루션 제품을 출하했다고 6일 밝혔다. 삼성전자 파운드리 사업부는 SoC(System on Chip)에 이 제품을 결합해 파운드리 분야 기술 리더십을 공고히 하고 경쟁력 강화에 나선다는 방침이다.

FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있다, M램은 비휘발성이라 전원을 꺼도 데이터가 유지된다. 게다가 D램 수준으로 속도가 빠른 특성도 가진 메모리 반도체다. 삼성전자에 따르면 이 두 기술이 합쳐 전기를 적게 소모하고, 플래시 메모리 대비 쓰기 속도는 약 1000배 빠르다. 소형화가 쉬우면서도 가격까지 저렴한 차세대 내장 메모리를 개발했다.

내장형 플래시는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력효율 면에서 한계로 지적됐으나 M램 솔루션은 데이터 기록시 삭제 과정이 필요 없다.

M램 솔루션은 단순한 구조를 가지고 있어 고객들의 설계 부담을 줄이고 생산비용 또한 낮출 수 있다는 게 삼성전자측 설명이다.

삼성전자는 올해 안에 1Gb 내장형 M램 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공하겠다는 계획이다.

삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 이상현 상무는 “신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다” 며 “이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 내장형 M램을 확대 적용해 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것”이라고 밝혔다.