삼성전자, TSMC 추격 고삐…평택에 EUV 파운드리 생산라인 구축
삼성전자, TSMC 추격 고삐…평택에 EUV 파운드리 생산라인 구축
  • 박시나 기자
  • 승인 2020.05.21 12:24
  • 댓글 0
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이달 공사 착수, 2021년 하반기 본격 가동
파운드리 라인 구축, 5나노 이하 주력 생산
삼성전자 평택캠퍼스.  ⓒ삼성전자
삼성전자 평택캠퍼스. ⓒ삼성전자

[시사프라임 / 박시나 기자] 삼성전자가 '반도체 비전 2030' 달성을 위한 후속 조치 일환으로 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다고 21일 밝혔다. 

EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 기반 최첨단 시스템 반도체 수요에 적기 대응, 파운드리 미세 공정 시장 및 파운드리 미세 공정 시장 주도하기 위한 것으로 풀이된다. 기흥·화성에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축해 5나노 이하 주력 생산한다는 방침이다.

이번 투자는 삼성전자가 작년 4월 발표한 '반도체 비전 2030' 관련 후속 조치의 일환이다. 

지난해 1월 이재용 부회장이 비메모리 분야인 시스템반도체와 파운드리(반도체 위탁생산) 사업을 미래 성장동력으로 육성시켜 세계 1위를 달성하겠다는 비전을 밝히고 3개월 뒤 4월 연구개발에 파운드리 40조원, 시스템LSI 33조원 총 73조원, 시설투자로 파운드리 58조원, 시스템LSI 2조원 총 60조원 등 합산 133조원의 투자 로드맵을 제시했다. 

삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며, 본격 가동은 2021년 하반기부터다. 

2019년 화성 S3 라인, 2020년 V1 라인 가동으로 7나노 이하 제품 생산 규모가 지난해보다 3배 이상 확대될 것이란 전망에 이어 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다.

평택 라인이 가동되면 TSMC와의 격차가 얼마나 줄어들지도 이목이 쏠린다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 글로벌 파운드리 시장 점유율은 작년 4분기 52.7%에서 올 1분기 54.1%로 높아져 압도적 1위를 달리고 있다. 이 분야 2위인 삼성전자의 점유율은 17.8%에서 15.9%로 오히려 낮아졌다. 격차가 더 벌어진 셈이다.

글로벌 파운드리 시장은 5G, HPC, AI, 네트워크 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심의 성장이 예상되고 있다. 

이에 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤, 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다.

삼성전자 DS부문 파운드리사업부 정은승 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며, "전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 밝혔다.



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