[시사프라임 / 박시나 기자] 삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축한다, 내년 하반기 7세대 V낸드 양산을 시작한다. 경쟁사와의 기술격차를 더 벌려 시장 지위를 공고히 하겠다는 뜻으로 풀이된다.

삼성전자는 1일 평택캠퍼스 2라인(P2)에서 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사를 지난달 착수했다고 밝혔다. 투자 금액은 정확히 밝히지 않았지만 업계서는 약 7~9원 안팎으로 보고 있다.

이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자가 올해 개발 완료할 7세대 V낸드 제품이 내년 하반기 목표로 양산될 예정이다.

이번 투자는 AI, IoT 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위해서다.

특히 최근 '언택트' 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되는 가운데, 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 전략이다.

지난 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐다.

삼성전자는지난 해 7월 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산한 바 있다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것"이라고 밝혔다.

내년 7세대 V낸드가 본격 양산되면 경쟁사와의 격차도 더 벌어질 것으로 보인다. 

시장조사업체 옴디아에 따르면, 삼성전자는 지난해 글로벌 낸드플래시 시장에서 165억1천700만달러의 매출로 시장 1위(점유율 35.9%)를 기록했다.

올해 1분기(D램 익스체인지)도 33.3%의 점유율로, 2위 키옥시아(점유율 19.0%)와의 격차는 14.3%포인트다.

낸드 시장에서 삼성전자가 1위를 유지하고 있지만 중국의 추격이 거세다.

중국 칭화유니그룹 산하의 YMTC가 중국 정부의 자금 지원을 발판 삼아 낸드플래시 시장에서 삼성 추격에 나선 상황이다. 

YMTC는 지난달 128단 3차원(3D) 낸드플래시 개발에 성공했고, 이르면 올해 말 양산에 들어간다고 밝혔다. 삼성은 이미 지난해 8월 양산에 들어간 기술이다. YMTC는 낸드플래시 글로벌 시장 점유율을 5%로 확대한다는 목표다.